IGBT GT50jr22
8944748473462
Transistor IGBT 50jr22, 600V. 44A, 115W
TO3PN, Toshiba
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Transistor IGBT 50jr22
Toshiba
Voltaje: 600V.
Corriente: 44A.
Potencia: 115W
Encapsulado: TO3PN
El GT50JR22 IGBT de canal N de silicio dedicado a aplicaciones de conmutación de inversor de corriente resonante
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