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Transistor IGBT GT50jr22, 600V. 44A, 115W, TO3PN

IGBT GT50jr22

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Nuevo producto

Transistor IGBT 50jr22, 600V. 44A, 115W

TO3PN, Toshiba

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Transistor IGBT 50jr22

Toshiba

Voltaje: 600V.

Corriente: 44A.

Potencia: 115W

Encapsulado: TO3PN

El GT50JR22 IGBT de canal N de silicio dedicado a aplicaciones de conmutación de inversor de corriente resonante

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GT50JR22

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Transistor IGBT GT50jr22, 600V. 44A, 115W, TO3PN

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